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PTFB091507FHV1R0

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 160 W, 28 V, 920 ??960 MHz

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Infineon

英飞凌

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 160 W, 28 V, 920 ??960 MHz

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英飞凌

更新时间:2025-12-17 20:00:00
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