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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
PTFA220081M | HighPowerRFLDMOSFieldEffectTransistor8W,700-2200MHz Description ThePTFA220081Manunmatched8-wattLDMOSFETsuitableforpoweramplifiersapplicationswithfrequenciesfrom700MHzto2200MHz.ThisLDMOStransistoroffersexcellentgain,efficiencyandlinearityperformanceinasmallovermoldedplasticpackage. Features •Typicaltwo-carrier | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   |
封装/外壳：10-LDFN 裸露焊盘 包装：散装 描述：FET RF LDMOS 8W SON10 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | WOLFSPEED WOLFSPEED, INC. |  | | |
包装：管件 描述：IC AMP RF LDMOS 10-SON 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
PTFA220081M产品属性
- 类型
描述
- 型号
PTFA220081M
- 制造商
INFINEON
- 制造商全称
Infineon Technologies AG
- 功能描述
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 8 W, 700-2200 MHz
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEO |
2020+ |
QFN |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
Infineon/Infineon Technologies |
21+ |
QFN |
38 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
INFINEON |
11+ |
QFN |
34 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
INFINEON |
23+ |
QFN |
20000 |
||||
Infineon Technologies |
23+ |
SON10 |
9000 |
原装正品，支持实单 |
|||
INFINEON |
1912+ |
SON10 |
30000 |
绝对原装进口现货可开17%增值税发票 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
21+ |
PGSON10 |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
|||
INFINEON |
23+ |
QFN |
39 |
只做原装全系列供应价格优势 |
|||
INFINEO |
2017+ |
QFN |
6528 |
只做原装正品!假一赔十! |
|||
INFINEON/英飞凌 |
2020+ |
PG-SON-10 |
12000 |
原装正品现货 |
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2019-10-29
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