型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 200 W, 2110 ??2170 MHz

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Infineon

英飞凌

Cellular (2000 MHz to 2200 MHz)

Infineon

英飞凌

封装/外壳:H-36260-2 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

Infineon

英飞凌

封装/外壳:H-36260-2 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

Infineon

英飞凌

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 200 W, 2110 ??2170 MHz

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Infineon

英飞凌

IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2

Infineon

英飞凌

IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2

Infineon

英飞凌

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 200 W, 2110-2170 MHz

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Infineon

英飞凌

Silicon planar type

For stabilization of power supply ■ Features • High reliability, achieved by the combination the planar type and the glass seal • Large power dissipation: PD = 1 W • Wide voltage range: VZ = 5.1 V to 56.0 V • Easy-to-use because of the finely divided zener voltage ranks, such as A

Panasonic

松下

FXP FlexiPlug짰 HYBRID PLUGGABLE BLOCK Screw/Pressure-Plate Termination

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AMPHENOL

安费诺

FXP FlexiPlug짰 HYBRID PLUGGABLE BLOCK Screw/Pressure-Plate Termination

文件:451.62 Kbytes Page:4 Pages

AMPHENOL

安费诺

DC 1000VDC

文件:390.97 Kbytes Page:4 Pages

SOSHIN

双信电机

Silicon planar type

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TGS

PTFA21200产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PTFA21200

  • 制造商

    INFINEON

  • 制造商全称

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述

    Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 200 W, 2110 – 2170 MHz

更新时间:2025-12-24 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
24+
NA/
120
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
INFINEON
24+
SMD
5500
长期供应原装现货实单可谈
INFINEON/英飞凌
2019+
SMD
6992
原厂渠道 可含税出货
INFINEON/英飞凌
24+
TO-59
39197
郑重承诺只做原装进口现货
INFINEON/英飞凌
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
Infineon Technologies
22+
H372602
9000
原厂渠道,现货配单
INFINEON
08+
高频管
15
原装现货海量库存欢迎咨询
INF
24+
16
Infineon Technologies
23+
H372602
8000
只做原装现货
Infineon Technologies
23+
H372602
7000

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