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PTFA212001E

Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFETs200W,2110??2170MHz

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

封装/外壳:H-36260-2 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

InfineonInfineon Technologies AG

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SAWBandpassFilter

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ITFIntegrated Technology Future

Integrated Technology Future

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E-SWITCH

E-Switch, Inc.

E-SWITCH

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E-SWITCH

E-Switch, Inc.

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PTFA212001E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PTFA212001E

  • 制造商

    INFINEON

  • 制造商全称

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述

    Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 200 W, 2110 – 2170 MHz

更新时间:2024-6-17 12:08:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon
22+
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Infineon Technologies
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57550
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一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、
INF
21+
NA
12588
原装正品,自己库存 假一罚十
INFINEON/英飞凌
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