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Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs

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Infineon

英飞凌

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 240 W, 1805-1880 MHz

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Infineon

英飞凌

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs

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Infineon

英飞凌

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 240 W, 1805 ??1880 MHz

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Cree

科锐

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs

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Infineon

英飞凌

更新时间:2025-12-31 13:00:01
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