型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
PTFB182503EL

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs

文件:694.87 Kbytes Page:12 Pages

Infineon

英飞凌

PTFB182503EL

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 240 W, 1805-1880 MHz

文件:721.07 Kbytes Page:12 Pages

Infineon

英飞凌

PTFB182503EL

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 240 W, 1805-1880 MHz

Infineon

英飞凌

Cellular (1800 MHz to 1995 MHz)

Infineon

英飞凌

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs

文件:694.87 Kbytes Page:12 Pages

Infineon

英飞凌

封装/外壳:H-33288-6 包装:带 描述:IC AMP RF LDMOS H-33288-6 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

WOLFSPEED

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs

文件:694.87 Kbytes Page:12 Pages

Infineon

英飞凌

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs

文件:694.87 Kbytes Page:12 Pages

Infineon

英飞凌

包装:带 描述:IC AMP RF LDMOS 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

WOLFSPEED

IC AMP RF LDMOS

WOLFSPEED

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs

文件:694.87 Kbytes Page:12 Pages

Infineon

英飞凌

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs

文件:694.87 Kbytes Page:12 Pages

Infineon

英飞凌

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs

文件:694.87 Kbytes Page:12 Pages

Infineon

英飞凌

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 240 W, 1805 ??1880 MHz

文件:497.38 Kbytes Page:11 Pages

Cree

科锐

PTFB182503EL产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PTFB182503EL

  • 制造商

    INFINEON

  • 制造商全称

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述

    Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 240 W, 1805-1880 MHz

更新时间:2026-1-5 16:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
INFINEON/英飞凌
2450+
NA
9485
只做原装正品现货或订货假一赔十!
INFINEON/英飞凌
25+
NI-780
1200
全新原装现货,价格优势
Infineon
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
INFINEON
24+
NA
6000
全新原装正品现货 假一赔佰
INFINEON
24+
SMD
8500
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售
INFINEON
23+
NA
400
专业电子元器件供应链正迈科技特价代理特价,原装元器件供应,支持开发样品
INFINEON
22+
H-33288-6
20000
公司只做原装 品质保障
INFINEON
23+
7000
INFINEON
23+
8000
只做原装现货

PTFB182503EL数据表相关新闻