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PTD4N60

平面型功率场效应管

HTSEMI

金誉半导体

4 Amps, 600 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 4N60is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications i

UTC

友顺

4 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

友顺

4 Amps竊?00Volts N-Channel MOSFET

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ESTEK

伊泰克电子

N-Channel Power MOSFET

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ARTSCHIP

N-CHANNEL POWER MOSFET

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ZSELEC

淄博圣诺

更新时间:2025-12-26 17:09:00
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