| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
PTD4N60 | 平面型功率场效应管 | HTSEMI 金誉半导体 |   | |
4 Amps, 600 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 4N60is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications i | UTC 友顺 | | ||
4 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：397.76 Kbytes Page：8 Pages | UTC 友顺 | | ||
4 Amps竊?00Volts N-Channel MOSFET 文件：543.79 Kbytes Page：5 Pages | ESTEK 伊泰克电子 | | ||
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