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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
PTD20N06	沟槽型功率场效应管	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
20N06	60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS = 60V,ID =20A RDS(ON),23mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON),29mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Advanced Trench Technology Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Lead free product is acquired	UMW 友台半导体	UMW
20N06	60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Description The 20N06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Features VDS = 60V,ID =20A RDS(ON),23mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON),29mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Advanced Trench Technology	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
20N06	20A mps,60 Volts N-CHANNEL MOSFET 文件：193.72 Kbytes Page：2 Pages	CHONGQING 平伟实业	CHONGQING
20N06	Fast Switching 文件：67.37 Kbytes Page：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
20N06	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：897.38 Kbytes Page：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

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更新时间：2025-12-26 14:45:00

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2025-5-22
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2021-3-19
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深圳市励芯恒智能科技有限公司原装正品，假一赔十！
2020-11-3
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1 Output SMD/SMT 非隔离式DC/DC转换器， 0 V to 20 kV 非隔离式DC/DC转换器， Through Hole 3.3 V 非隔离式DC/DC转换器， 9 V to 36 V 非隔离式DC/DC转换器， 5 V 非隔离式DC/DC转换器， 18 V to 28 V 1 Output 非隔离式DC/DC转换器
2020-2-26
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2019-10-29