| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
HEXFETPOWERMOSFET DESCRIPTION AstheSMPSMOSFET,theUTC22N60usesUTC’sadvancedtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithlowgatevoltages.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES *RDS(ON)=0.35Ω *UltraLowGateCharge | UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司 |  |   | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=22A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=165mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC- | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
22A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET 文件：211.84 Kbytes Page：6 Pages | UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司 | | | |
N-ChannelMOSFET 文件：986.23 Kbytes Page：2 Pages | ESTEKEstek Electronics Co. Ltd 伊泰克电子北京伊泰克电子有限公司 |  | | |
N-ChannelMOSFET600V,22A,0.165W 文件：532.87 Kbytes Page：8 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |  | |
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