PSMN8R5-100ESQ价格

参考价格:¥6.3815

型号:PSMN8R5-100ESQ 品牌:NXP 备注:这里有PSMN8R5-100ESQ多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,PSMN8R5-100ESQ批发/采购报价,PSMN8R5-100ESQ行情走势销售排行榜,PSMN8R5-100ESQ报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 8.5mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control

ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 97A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 8.8mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control

ISC

无锡固电

N-channel 100 V 8.5 m廓 standard level MOSFET in I2PAK

文件:735.4 Kbytes Page:14 Pages

NEXPERIA

安世

NextPower 100 V, 8.8 m廓 N-channel MOSFET in I2PAK

文件:255.94 Kbytes Page:13 Pages

NEXPERIA

安世

N-channel 100 V 8.5 m廓 standard level MOSFET in TO220

文件:258.51 Kbytes Page:14 Pages

PHILIPS

飞利浦

PSMN8R5-100ESQ产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PSMN8R5-100ESQ

  • 功能描述

    MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-2-2 22:59:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Nexperia
25+
SOT-226-3
22412
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
Nexperia
25+
SOT-226-3
22412
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NEXPERIA/安世
2026+
原厂原封可拆样
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NEXPERIA/安世
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公司只做原装 品质保障
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持

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