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PSMN8R5-100ES中文资料

厂家型号

PSMN8R5-100ES

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285.92Kbytes

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2

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

MOSFET

数据手册

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生产厂商

ISC

PSMN8R5-100ES数据手册规格书PDF详情

FEATURES

·Drain Current -ID= 100A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 8.5mΩ(Max)@VGS= 10V

DESCRIPTION

·DC-to-DC Converter

·General Industrial Applications

·Power Motor Control

PSMN8R5-100ES产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PSMN8R5-100ES

  • 功能描述

    MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-13 17:22:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEXPERIA/安世
25+
SOT226
600000
NEXPERIA/安世全新特价PSMN8R5-100ESQ即刻询购立享优惠#长期有排单订
Nexperia(安世)
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-
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
恩XP
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PSMN8R5-100ESQ 价格

参考价格:¥6.3815

型号:PSMN8R5-100ESQ 品牌:NXP 备注:这里有PSMN8R5-100ES多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,PSMN8R5-100ES批发/采购报价,PSMN8R5-100ES行情走势销售排排榜,PSMN8R5-100ES报价。

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