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600V - 12A - IGBT Application: Inverter

Features  Short circuit withstand time (6 s typ.)  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 12 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)  Built in fast recovery diode (25 ns typ.) in one package  Trench gate and thin wafer technology  High speed switching tf = 75 ns

RENESAS

瑞萨

更新时间:2025-10-15 20:00:01
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