型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

SwitchingRegulatorApplications

SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=0.7Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=4.5S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=650V) •Enhancementmode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.84Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件:289.2 Kbytes Page:2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

文件:1.10623 Mbytes Page:10 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
更新时间:2025-6-29 15:31:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOS
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TO220F
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原装环保房间现货假一赔十
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明嘉莱只做原装正品现货
TOSHIBA/东芝
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TOSHIBA(东芝)
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原装正品 有挂有货 假一赔十
TOSHIBA
24+
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TOS
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TO-220F
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原装优势主营型号-可开原型号增税票

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