| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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ITK8A65W | iscN-ChannelMOSFETTransistor 文件：289.2 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  |   |
SwitchingRegulatorApplications SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=0.7Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=4.5S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=650V) •Enhancementmode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 |  | | |
BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 | | | |
N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET 文件：1.10623 Mbytes Page：10 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor 文件：289.2 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2018-12-28
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