型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

262,144-Bit Dynamic Random Access Memory (DRAM)

Description: The NTE21256 is a 262,144 word by 1–bit dynamic Random Access Memory. This 5V–only component is fabricated with N–channel silicon gate technology. Nine multiplexed address inputs permit the NTE21256 to be packaged in an industry standard 16–Lead DIP package. Features of this dev

NTE

更新时间:2025-12-16 18:16:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NTE
2450+
TO-3P
6540
只做原装正品现货或订货!终端客户免费申请样品!
OTAX
DIP-3
35560
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
SANYO/三洋
22+
TO-3P
12245
现货,原厂原装假一罚十!
37
全新原装 货期两周
SANYO/三洋
24+
TO-3P
39197
郑重承诺只做原装进口现货
NTE
23+
65480
SANYO
25+
原厂原封装
86720
全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔
SANYO
24+
TO-3P
36500
原装现货/放心购买
原装
1923+
TO-3P
8900
公司原装现货特价长期供货欢迎来电咨询
OTAX
23+
NA
20000
全新原装假一赔十

PS21256数据表相关新闻