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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NTE21256 | 262,144-Bit Dynamic Random Access Memory (DRAM) Description: The NTE21256 is a 262,144 word by 1–bit dynamic Random Access Memory. This 5V–only component is fabricated with N–channel silicon gate technology. Nine multiplexed address inputs permit the NTE21256 to be packaged in an industry standard 16–Lead DIP package. Features of this dev | NTE |   | |
NTE21256 | 262,144–Bit Dynamic Random Access Memory (DRAM) | NTE | |
NTE21256产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTE21256
- 制造商
NTE Electronics
- 功能描述
IC, DRAM, 256KBIT, DIP-16; Memory
- Type
DRAM - NMOS; Memory
- Configuration
256 x 1; Access
- Time
150ns; Page
- Size
256Kbit; Memory Case
- Style
DIP; No. of
- Pins
16; IC Interface
- Type
(Not Available); Operating Temperature
- Min
0C ;RoHS
- Compliant
Yes
更新时间：2025-12-26 22:50:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
OTAX |
23+ |
NA |
20000 |
全新原装假一赔十 |
|||
OTAX |
DIP-3 |
35560 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
NTE |
23+ |
65480 |
|||||
NTE |
23+ |
TO-3 |
39250 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
新 |
37 |
全新原装 货期两周 |
|||||
SANYO/三洋 |
24+ |
TO-3P |
39197 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
NTE |
2450+ |
TO-3P |
6540 |
只做原装正品现货或订货!终端客户免费申请样品! |
|||
SANYO |
25+ |
原厂原封装 |
86720 |
全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔 |
|||
SANYO |
24+ |
TO-3P |
36500 |
原装现货/放心购买 |
|||
SANYO/三洋 |
22+ |
TO-3P |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
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