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RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

728-768 MHz, 50 W AVG., 28 V SINGLE W-CDMA LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET Designed for base station applications with frequencies from 728 to 768 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base station modulation formats. • Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: V

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

更新时间:2025-12-22 20:20:01
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