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RFPowerFieldEffectTransistors

RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs Designedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationswithfrequenciesfrom1930to1990MHz.Thehighgainandbroadbandperformanceofthesedevicesmakethemidealforlarge-signal,commonsourceamplifierap

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

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RFPowerFieldEffectTransistorsN-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs

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更新时间:2024-9-23 18:41:03
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