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MRF5S19060NBR1

RF Power Field Effect Transistors

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies from 1930 to 1990 MHz. The high gain and broadband performance of these devices make them ideal for large- signal, commonsource amplifier ap

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF5S19060NBR1

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF5S19060NBR1

封装/外壳:TO-272BB 包装:托盘 描述:FET RF 65V 1.99GHZ TO-272-4 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

MRF5S19060NBR1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF5S19060NBR1

  • 功能描述

    射频MOSFET电源晶体管 1990MHZ 60W 28V TO272WB4N

  • RoHS

  • 制造商

    Freescale Semiconductor

  • 配置

    Single

  • 频率

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益

    27 dB

  • 输出功率

    100 W

  • 封装/箱体

    NI-780-4

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-11-24 10:54:00
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