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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MRF5S19060NBR1 | RF Power Field Effect Transistors RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies from 1930 to 1990 MHz. The high gain and broadband performance of these devices make them ideal for large- signal, commonsource amplifier ap | FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 |   | |
MRF5S19060NBR1 | RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs 文件：601.21 Kbytes Page：16 Pages | FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 | | |
MRF5S19060NBR1 | 封装/外壳：TO-272BB 包装：托盘 描述：FET RF 65V 1.99GHZ TO-272-4 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | |
MRF5S19060NBR1产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRF5S19060NBR1
- 功能描述
射频MOSFET电源晶体管 1990MHZ 60W 28V TO272WB4N
- RoHS
否
- 制造商
Freescale Semiconductor
- 配置
Single
- 频率
1800 MHz to 2000 MHz
- 增益
27 dB
- 输出功率
100 W
- 封装/箱体
NI-780-4
- 封装
Tray
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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