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P-Channel1.8VSpecifiedPowerTrenchMOSFET

GeneralDescription ThisP-Channel1.8VspecifiedMOSFETisaruggedgateversionofFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(1.8V–8V). Features •–13.5A,–20V. RDS(ON)=8.5

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仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

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更新时间:2025-6-25 15:20:01
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