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600V - 17A - IGBT Application: Inverter

Features  Short circuit withstand time (6 s typ.)  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 17 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)  Built in fast recovery diode (25 ns typ.) in one package  Trench gate and thin wafer technology  High speed switching tf = 75 ns

RENESAS

瑞萨

更新时间:2025-12-17 16:44:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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