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PMV30ENEA

40 V N-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23(TO-236AB) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •ExtendedtemperaturerangeTj=175°C •TrenchMOSFE

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安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA
更新时间:2024-6-17 15:08:00
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