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PMV30ENEAR

40 V N-channel Trench MOSFET

1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic-level compatible • Extended temperature range Tj = 175 °C • Trench MOSFE

NEXPERIA

安世

更新时间:2025-12-16 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEXPERIA/安世
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