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PMCA14UN

12 V, N-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmallDSN1010-3 (SOT8007)Surface-MountedDevice(SMD)packageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Lowthresholdvoltage •Veryfastswitching •Ultrasmallpackage:0.9

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安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA
更新时间:2024-9-23 11:48:00
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