包装：袋 描述：TIP TAPERED NEEDLE PLATED .05 焊接，拆焊，返修产品 焊接，拆焊，返修尖头，喷嘴

电源管理

PL3380L是一系列AC/DC非隔离降压型恒压输出芯片，适用于90Vac~265Vac全电压输入的非隔离电源。\n\n其内部集成了高压功率开关，采用专利电压电流控制技术，无需外部电压反馈和电流侦测电路即可实现精确的电压和电流调节，极大的方便客户使用。\n\nPL3380L的复合模式的应用使芯片能够实现低静态功耗、低音频噪音、高效率。轻载时芯片工作在PFM模式，随着负载增加，芯片会逐渐进入PWM模式，可保证系统低功耗待机，高效率工作。\n\nPL3380L 同时具有多种保护功能：VCC 欠压保护、VCC 过压保护、逐周期峰值电流检测、输出开路保护、输出短路保护和过温保护等。\n\nPL3380 • 1T增强型ET8051内核\n• 集成最多16+4(移位)个电容触摸按键\n• 内置4K字节Flash与128字节EEPROM\n• 工作温度:-40°C~125C\n• 集成8通道11位ADC\n• 最多22个双向通用I/O口\n• 封装形式:24/20/16/8管脚\n• Flash程序区:40年、10万次\n• EEPROM数据区:40年、50万次;

电源管理

PL338x是一系列AC/DC非隔离降压型恒压输出芯片，适用于90Vac~265Vac全电压输入的非隔离电源。\n\n其内部集成了高压功率开关，采用专利电压电流控制技术，无需外部电压反馈和电流侦测电路即可实现精确的电压和电流调节，极大的方便客户使用。\n\nPL338x的复合模式的应用使芯片能够实现低静态功耗、低音频噪音、高效率。轻载时芯片工作在PFM模式，随着负载增加，芯片会逐渐进入PWM模式，可保证系统低功耗待机，高效率工作。\n\nPL338x 同时具有多种保护功能：VCC 欠压保护、VCC 过压保护、逐周期峰值电流检测、输出开路保护、输出短路保护和过温保护等。\n\nPL338x 提供 • 1T增强型ET8051内核\n• 集成最多16+4(移位)个电容触摸按键\n• 内置4K字节Flash与128字节EEPROM\n• 工作温度:-40°C~125C\n• 集成8通道11位ADC\n• 最多22个双向通用I/O口\n• 封装形式:24/20/16/8管脚\n• Flash程序区:40年、10万次\n• EEPROM数据区:40年、50万次;

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PL338x是一系列AC/DC非隔离降压型恒压输出芯片，适用于90Vac~265Vac全电压输入的非隔离电源。\n\n其内部集成了高压功率开关，采用专利电压电流控制技术，无需外部电压反馈和电流侦测电路即可实现精确的电压和电流调节，极大的方便客户使用。\n\nPL338x的复合模式的应用使芯片能够实现低静态功耗、低音频噪音、高效率。轻载时芯片工作在PFM模式，随着负载增加，芯片会逐渐进入PWM模式，可保证系统低功耗待机，高效率工作。\n\nPL338x 同时具有多种保护功能：VCC 欠压保护、VCC 过压保护、逐周期峰值电流检测、输出开路保护、输出短路保护和过温保护等。\n\nPL338x 提供 • 1T增强型ET8051内核\n• 集成最多16+4(移位)个电容触摸按键\n• 内置4K字节Flash与128字节EEPROM\n• 工作温度:-40°C~125C\n• 集成8通道11位ADC\n• 最多22个双向通用I/O口\n• 封装形式:24/20/16/8管脚\n• Flash程序区:40年、10万次\n• EEPROM数据区:40年、50万次;

Amplifier Transistor

The LM337 is an adjustable 3–terminal negative voltage regulator capable of supplying in excess of 1.5 A over an output voltage range of –1.2 V to – 37 V. This voltage regulator is exceptionally easy to use and requires only two external resistors to set the output voltage. Further, it employs i

BROADBAND RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON

The RF Line NPN Silicon RF Power Transistor Designed primarily for wideband large–signal output and driver amplifier stages in the 400 to 512 MHz frequency range. • Specified 28 Volt, 470 MHz Characteristics Output Power = 80 Watts Minimum Gain = 7.3 dB Efficiency = 50 (Min) • Buil

Silicon NPN Transistor RF Power Amp, Driver

Description: The NTE338F is a silicon NPN transistor in a W52K type package designed primarily for use as a power linear amplifier from 2 to 30MHz. Features: ● Specified 12.5V, 30MHz Characteristics: Output Power = 20W (PEP) Minimum Gain = 12dB Efficiency = 45 ● Intermodulation Distortion @ 20

5-Amp Adjustable Regulators

文件：396.27 Kbytes Page：16 Pages

5-Amp Adjustable Regulators

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