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PJD80N06

60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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PANJIT

強茂

PJD80N06

中压MOSFET (60 - 200V , RDS(ON) < 1Ω)

PANJIT

強茂

60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features  RDS(ON), VGS@10V, ID@20A

PANJIT

強茂

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

FEATURES • 175 °C Junction Temperature • TrenchFET® Power MOSFET • Material categorization:

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

FEATURES • 175 °C Junction Temperature • TrenchFET® Power MOSFET • Material categorization:

VBSEMI

微碧半导体

Fast Switching Speed

文件:67.88 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:1.28925 Mbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package

文件:1.40473 Mbytes Page:8 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

更新时间:2025-12-24 20:00:00
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全新原装正品现货,支持订货

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    PJD45P04,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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