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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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PHT8N06LT | TrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemounting.Thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotection.ItisintendedforuseinDC-DCconvertersandgenera | PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦 | Philips |   |
PHT8N06LT | TrenchMOSÔtransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogic levelfield-effectpowertransistorina plasticenvelopesuitableforsurface mounting.Thedevicefeaturesvery lowon-stateresistanceandhas integralzenerdiodesgivingESD protection.Itisintendedforusein DC-DCconvertersand | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 |  | |
TrenchMOStransistorStandardlevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemounting.Using’trench’technolgythedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotection.ItisintendedforuseinDC | PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦 | Philips | | |
TMOSPOWERFET8.0AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.12OHM TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoveryt | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司 |  | | |
TMOSPOWERFET8.0AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.12OHM 文件：212.82 Kbytes Page：8 Pages | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司 | | | |
N-Channel60V(D-S)MOSFET 文件：1.08726 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | | |
TMOSPOWERFET8.0AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.12OHM 文件：212.82 Kbytes Page：8 Pages | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司 | | |
PHT8N06LT产品属性
- 类型
描述
- 型号
PHT8N06LT
- 制造商
NXP Semiconductors
- 功能描述
MOSFET N SOT-223
- 制造商
NXP Semiconductors
- 功能描述
MOSFET, N, SOT-223
- 制造商
NXP Semiconductors
- 功能描述
MOSFET, N, SOT-223; Transistor
- Polarity
N Channel; Continuous Drain Current
- Id
7.5A; Drain Source Voltage
- Vds
55V; On Resistance
- Rds(on)
80mohm; Rds(on) Test Voltage
- Vgs
5V; Threshold Voltage Vgs
- Typ
1.5V; Power Dissipation
- Pd
8.3W; ;RoHS
- Compliant
Yes
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
24+ |
NA/ |
3000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
恩XP |
2016+ |
SOT223 |
3965 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
恩XP |
24+ |
SOT-223 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
NEXPERIA/安世 |
23+ |
SOT-223 |
100586 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
|||
PHI |
22+ |
SOT223 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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恩XP |
20+ |
SOT223 |
4000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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SOT-223 |
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恩XP |
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恩XP |
23+ |
SOT223 |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
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NEXPERIA/安世 |
24+ |
SOT-223 |
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2019-9-20
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