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60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features VDS = 60V,ID =40A RDS(ON),14mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON),16mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Advanced Trench Technology Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Lead free product is acquired

UMW

友台半导体

60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

General Description The 40N06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Features VDS = 60V,ID =40A RDS(ON),14mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON),16mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Advanced Trench Technology

EVVOSEMI

翊欧

Fast Switching

文件:68.1 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:897.86 Kbytes Page:6 Pages

VBSEMI

微碧半导体

38A竊?0V N-CHANNEL MOSFET

文件:196.75 Kbytes Page:5 Pages

KIA

可易亚半导体

更新时间:2025-10-16 10:30:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBSEMI/微碧半导体
24+
TO252
7800
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈
VISHAY
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一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
VISHAY/威世
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十年配单,只做原装
NK/南科功率
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振宏微专业只做正品,假一罚百!
UMW/友台半导体
23+
TO-252
200000
友台UMW
25+
DIP
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国产替换现货降本
DTU
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VISHAY
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TO-252
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独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证

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