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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 22A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 120mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control

ISC

无锡固电

N-channel TrenchMOS standard level FET

文件:91.52 Kbytes Page:12 Pages

Philips

飞利浦

更新时间:2025-12-16 18:16:01
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