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PHD22NQ20T中文资料

厂家型号

PHD22NQ20T

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2

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

两极晶体管 - BJT RAIL PWR-MOS

数据手册

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生产厂商

ISC

PHD22NQ20T数据手册规格书PDF详情

FEATURES

·Drain Current -ID= 22A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS= 200V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 120mΩ(Max)@VGS= 10V

DESCRIPTION

·DC-to-DC Converter

·General Industrial Applications

·Power Motor Control

PHD22NQ20T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PHD22NQ20T

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT RAIL PWR-MOS

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-10-12 16:36:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PHI
24+
TO-252
20000
只做原厂渠道 可追溯货源
恩XP
24+
TO-252
504353
免费送样原盒原包现货一手渠道联系
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SOT428TO-252
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25+
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
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