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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description TheNP55N04SLGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Channeltemperature175degreerating •Superlowon-stateresistance ⎯RDS(on)1=6.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=28A) ⎯RDS(on)2=8.5mΩMAX.(VGS=5V,I

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP55N04SUGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerating •Superlowon-stateresistance RDS(on)=6.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=28A) •Lowinputcapacitance Ciss=3400pFT

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC

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PHB55N04LT产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PHB55N04LT

  • 功能描述

    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 35V V(BR)DSS | 55A I(D) | TO-263AB

更新时间:2025-5-20 23:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
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NA/
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
RENESAS
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瑞萨全系列在售,终端可出样品
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代理渠道/只做原装/可含税
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TO-252
6000
原装正品,支持实单
RENESAS
20+
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原装优势主营型号-可开原型号增税票
Renesas(瑞萨)
23+
原厂封装
32078
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业
RENESAS/瑞萨
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