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PHB11N06LT

TrenchMOStransistorLogiclevelFET

ETC

知名厂家

PHB11N06LT

N-channelTrenchMOStransistorLogiclevelFET

ETC

知名厂家

PHB11N06LT

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.13Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-channelTrenchMOStransistorLogiclevelFET

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PHB11N06LT产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PHB11N06LT

  • 制造商

    PHILIPS-SEMI

更新时间:2025-5-19 19:09:00
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