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Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ -60V, -3.1A, RDS(ON) = 130mΩ @VGS = -10V. RDS(ON) = 170mΩ @VGS = -4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ Surface mount Package.

CET

华瑞

TROUBLESHOOTING GUIDE FOR CAPACITIVE DISCHARGE IGNITION SYSTEMS

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MALLORY

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EUTECHEutech Microelectronics Inc

德信科技德信科技股份有限公司

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SAW Components Bandpass Filter

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更新时间:2025-12-17 23:01:01
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