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CEM6867	Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ -60V, -3.1A, RDS(ON) = 130mΩ @VGS = -10V. RDS(ON) = 170mΩ @VGS = -4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ Surface mount Package.	CET 华瑞	CET
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