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N-ChannelEnhancement InPowerProductLines | ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商 |  |   | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
N-ChannelPowerMOSFET500V,3.3 文件：124.45 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  | | |
N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET 文件：1.0755 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | | |
SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). 文件：418.46 Kbytes Page：10 Pages | SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司 |  | |
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2019-2-17
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