| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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N-Channel Enhancement InPower Product Lines | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 |   | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 2.6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3.3Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET 文件：1.0755 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel Power MOSFET 500 V, 3.3 文件：124.45 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Super high dense cell design for low RDS(ON). 文件：418.46 Kbytes Page：10 Pages | Samhop 三合微科 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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