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SDUD03N50 | Super high dense cell design for low RDS(ON). 文件：418.46 Kbytes Page：10 Pages | SAMHOP 三合微科 |   | |
SDUD03N50 | Super high dense cell design for low RDS(ON). | SAMHOP 三合微科 | | |
N-Channel Enhancement InPower Product Lines | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 2.6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3.3Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET 文件：1.0755 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel Power MOSFET 500 V, 3.3 文件：124.45 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
更新时间：2026-3-13 18:53:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ADI/亚德诺 |
2511 |
原封装 |
66900 |
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SanDisk |
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SMCDIODESOLUTIONSLLC |
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SANDISK |
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ADI/亚德诺 |
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NA |
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原装正品,可BOM配单 |
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SXSEMI |
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SOD323 |
900000 |
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SMC Diode Solutions |
22+ |
TO220AB |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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SMC Diode Solutions |
25+ |
TO-220AC |
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N/A |
23+ |
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SANDISK |
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SMD |
100500 |
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