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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
PDB-C112

封装/外壳:模块 包装:散装 描述:SENSOR PHOTODIODE 950NM MODULE 传感器,变送器 光学传感器 - 光电二极管

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JFET Chopper Transistor (N-Channel- Depletion)

JFET Chopper Transistor N–Channel — Depletion

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SILICON POWER TRANSISTORS 2 AMPERES 100 VOLTS 20 WATTS

Complementary Darlington Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications Designed for general purpose power and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters, and power amplifiers. • Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic

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DARLINGTON 2 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

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POWER TRANSISTORS(2.0A,60-100V,50W)

MOSPEC

统懋

Operational Amplifiers

文件:200.55 Kbytes Page:6 Pages

NSC

国半

PDB-C112产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PDB-C112

  • 功能描述

    PHOTODIODE BLUE 100MM SQ BNC

  • RoHS

  • 类别

    传感器,转换器 >> 光学 - 光电检测器 - 光电二极管

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1

  • 系列

    -

  • 波长

    850nm 颜色 -

  • 增强型

    -

  • 光谱范围

    400nm ~ 1100nm

  • 二极管类型

    引脚 nm

  • 下响应率

    0.62 A/W @ 850nm

  • 响应时间

    5ns 电压

  • -(Vr)(最大)

    50V 电流 -

  • 暗(标准)

    1nA

  • 有效面积

    1mm²

  • 视角

    150°

  • 工作温度

    -40°C ~ 100°C

  • 封装/外壳

    径向,5mm 直径(T 1 3/4)

  • 其它名称

    475-2649-6

更新时间:2026-5-20 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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