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PD44164184BF5-E40-EQ3-A

18M-BIT DDR II SRAM 4-WORD BURST OPERATION

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RENESAS

瑞萨

18M-BIT DDR II SRAM 4-WORD BURST OPERATION

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18M-BIT DDR II SRAM 4-WORD BURST OPERATION

Features • 1.8 ± 0.1 V power supply • 165-pin PLASTIC BGA (13 x 15) • HSTL interface • PLL circuitry for wide output data valid window and future frequency scaling • Pipelined double data rate operation • Common data input/output bus • Two-tick burst for low DDR transaction size • Two inpu

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18M-BIT DDR II SRAM 4-WORD BURST OPERATION

Features • 1.8 ± 0.1 V power supply • 165-pin PLASTIC BGA (13 x 15) • HSTL interface • PLL circuitry for wide output data valid window and future frequency scaling • Pipelined double data rate operation • Common data input/output bus • Two-tick burst for low DDR transaction size • Two inpu

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更新时间:2026-2-5 17:12:00
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