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PD21120R6

120 Watts, 2110-2170 MHz PD21120R6 PUSH/PULL LATERAL MOSFET

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TriQuint

PD21120R6

120 Watts, 2110-2170 MHz PD21120R6 PUSH/PULL LATERAL MOSFET

QORVO

威讯联合

RF Power Field Effect Transistor

2110-2170 MHz, 120 W, 28 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN -PCS/cellular radio and WLL applications. • W-CDM

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

PD21120R6产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PD21120R6

  • 制造商

    TRIQUINT

  • 制造商全称

    TriQuint Semiconductor

  • 功能描述

    120 Watts, 2110-2170 MHz PD21120R6 PUSH/PULL LATERAL MOSFET

更新时间:2025-10-16 16:28:00
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