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SILICONMMICLOWCURRENTAMPLIFIERSFORCELLULAR/CORDLESSTELEPHONES

DESCRIPTION TheµPC8128TB,µPC8151TBandµPC8152TBaresiliconmonolithicintegratedcircuitsdesignedasbufferamplifiersforcellularorcordlesstelephones.Theseamplifierscanrealizelowcurrentconsumptionwithexternalchipinductor(eg1005size)whichcannotberealizedoninternal50

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC

BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUITS

FEATURES •Supplyvoltage:VCC=2.4to3.3V •Lowcurrentconsumption:UPC8128TB;ICC=2.8mATYP.@VCC=3.0V UPC8151TB;ICC=4.2mATYP.@VCC=3.0V UPC8152TB;ICC=5.6mATYP.@VCC=3.0V •Highefficiency:UPC8128TB;PO(1dB)=−4.0dBmTYP.@f=1GHz UPC8151TB;PO(1dB)

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

SILICONRFICLOWCURRENTAMPLIFIERFORCELLULAR/CORDLESSTELEPHONES

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CEL

California Eastern Labs

CEL
更新时间:2025-6-27 22:59:01
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