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芯片资料

参考价格：￥18.4076

型号：PC28F640P33BF60A 品牌：MIC 备注：这里有PC28F640P33BF多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，PC28F640P33BF批发/采购报价，PC28F640P33BF行情走势销售排行榜，PC28F640P33BF报价。

型号	功能描述	生产厂家&企业
PC28F640P33BF60	Numonyx짰P33-65nmFlashMemory 文件：3.95763 Mbytes Page：88 Pages	NUMONYX numonyx
PC28F640P33BF60A	Numonyx짰P33-65nmFlashMemory 文件：3.95218 Mbytes Page：88 Pages	MicronMicron Technology 镁光美国镁光科技有限公司
PC28F640P33BF60A	封装/外壳：64-TBGA 包装：托盘描述：IC FLASH 64MBIT PAR 64EASYBGA 集成电路（IC）存储器	ELPIDAElpida Memory 美光科技美光科技股份有限公司
PC28F640P33BF60D	Numonyx짰P33-65nmFlashMemory128-Mbit,64-MbitSingleBitperCell(SBC) 文件：3.95218 Mbytes Page：88 Pages	NUMONYX numonyx
PC28F640P33BF60D	封装/外壳：64-TBGA 包装：托盘描述：IC FLASH 64MBIT PAR 64EASYBGA 集成电路（IC）存储器	ELPIDAElpida Memory 美光科技美光科技股份有限公司

类型
描述
型号
PC28F640P33BF
制造商
Micron Technology Inc
功能描述
NOR Flash Parallel/Serial 2.5V/3.3V 64Mbit 4M x 16bit 60ns 64-Pin EBGA Tray
制造商
Micron Technology Inc
功能描述
PARALLEL NOR - Trays
制造商
Micron Technology Inc
功能描述
MICPC28F640P33BF60A P33-65NM FLASH MEMOR
制造商
Micron Technology Inc
功能描述
IC FLASH 4MX16 PBF TBGA 3.0V
制造商
Micron Technology Inc
功能描述
FLASH PARALLEL 64MBIT 64EBG
制造商
Micron Technology Inc
功能描述
FLASH, PARALLEL, 64MBIT, 64EBGA
制造商
Micron Technology Inc
功能描述
FLASH, PARALLEL, 64MBIT, 64EBGA; Memory
Type
Flash - NOR; Memory
Size
64Mbit; Memory
Configuration
512K x 16bit; Supply Voltage
Min
2.3V; Supply Voltage
Max
3.6V; Memory Case
Style
BGA; No. of
Pins
64; Clock
Frequency
52MHz; Access ;RoHS
Compliant
Yes
制造商
Micron Technology
功能描述
NOR Flash Parallel/Serial 2.5V/3.3V 64Mbit 4M x 16bit 60ns 64-Pin EBGA Tray

PC28F640P33BF供应商更多...

更新时间：2025-7-28 23:00:00

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PC28F256P33BFE
进口代理
2024-1-19
PC28F320J3D75 Micron
www.hfxcom.com
2021-11-15
PC28F512M29EWHA全新原装现货
瀚佳科技（深圳）有限公司专业进口电子元器件代理商
2019-8-12
PC30H06V0-2LDR3004ZW-12-14-L-T-1015-235MS27735-27Honeywell优势库存欢迎询价
PC30H06V0-2LDR3004ZW-12-14-L-T-1015-235MS27735-27Honeywell优势库存欢迎询价
2019-2-26
PC302-HSC 原装现货
瀚佳科技(深圳)有限公司专业为工厂一站式全套配单服务0755-23140719/15323480719(微信同号）李s
2019-2-19
PC33253DW-全桥预驱动器
MC33253是一个完整的桥式驱动器，包括综合费用泵，两个独立的高端和低端驱动器通道。高和低边驱动器包括一个交叉传导抑制电路，如果启用，可以防止在外部功率FET在同一时间。该驱动器输出的有能力的源和汇一峰一脉电流。偏低的渠道是参照地上，偏高地面通道是浮在上面。线性稳压器提供了最大的15.5V的低供应边栅极驱动阶段。高边驱动器提供一个阶段10V的电荷泵电压。这种内置的功能，相关的外部电容提供了一个全浮式高边驱动。一个主管和过电压保护系统防止不稳定在电源电压不正常运作。在故障，这些功能力进入关闭状态的驱动级。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL兼容输出。输入滞后，使输出的开关时间独立的输入转换时间。
2013-2-7