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AFT09S282NR3	RF Power LDMOS Transistor This 80 watt RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications covering the frequency range of 720 to 960 MHz. • Typical Single--Carrier W--CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 1400 mA, Pout = 80 Watts Avg., Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01 Probability on CCDF Featu	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
AFT09S282NR3	N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET	ETC 知名厂家	ETC

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更新时间：2025-10-16 20:00:01

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