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AFT09S282NR3

RF Power LDMOS Transistor

This 80 watt RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications covering the frequency range of 720 to 960 MHz. • Typical Single--Carrier W--CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 1400 mA, Pout = 80 Watts Avg., Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01 Probability on CCDF Featu

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

AFT09S282NR3

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

ETC

知名厂家

AFT09S282NR3

封装/外壳:OM-780-2 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 70V 960MHZ OM-780-2 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

AFT09S282NR3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AFT09S282NR3

  • 功能描述

    射频MOSFET电源晶体管 HV9 900MHZ 80W OM780-2

  • RoHS

  • 制造商

    Freescale Semiconductor

  • 配置

    Single

  • 频率

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益

    27 dB

  • 输出功率

    100 W

  • 封装/箱体

    NI-780-4

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-10-16 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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