| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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P-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES • Low RDS(on) • Improved inductive ruggedness • Fsat switching times • Rugged polysilicon gate cell structure • Low input capacitance • Extended safe operating area • Improved high temperature reliability | SAMSUNG 三星 |   | ||
P-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES • Low RDS(on) • Improved inductive ruggedness • Fsat switching times • Rugged polysilicon gate cell structure • Low input capacitance • Extended safe operating area • Improved high temperature reliability | SAMSUNG 三星 | | ||
TC9130P 4CH INDEPENDENT CYCLIC TYPE TOUCH SWITCH
| TOSHIBA 东芝 | | ||
P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS 文件：20.72 Kbytes Page：2 Pages | SEME-LAB | | ||
P-CHANNEL POWER MOSFET 文件：16.9 Kbytes Page：2 Pages | SEME-LAB | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2021-10-16PAA132
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2020-2-20
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