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RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS

DESCRIPTION The MSC82306 is a common base hermetically sealed silicon NPN microwave power transistor utilizing a rugged overaly die geometry. This device is capable of withstanding 20:1 load VSWR at any phase angle under rated conditions. The MSC82306 was designed for Class C Amplifier/Oscillato

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-12-24 11:44:01
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