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MSC82306中文资料

厂家型号

MSC82306

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功能描述

RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS

数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

MSC82306数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

The MSC82306 is a common base hermetically sealed silicon NPN microwave power transistor utilizing a rugged overaly die geometry. This device is capable of withstanding 20:1 load VSWR at any phase angle under rated conditions.

The MSC82306 was designed for Class C Amplifier/Oscillator applications in the 1.5 - 2.3 GHz frequency range.

■ REFRACTORYGOLD METALLIZATION

■ VSWR CAPABILITY 20:1 @ RATED CONDITIONS

■ HERMETIC STRIPAC® PACKAGE

■ POUT = 5.5 W MIN. WITH 9.6 dB GAIN

MSC82306产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MSC82306

  • 制造商

    STMICROELECTRONICS

  • 制造商全称

    STMicroelectronics

  • 功能描述

    RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS

更新时间:2025-10-4 16:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ASI
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
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23+
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