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N-Channel60V(D-S)MOSFET

FEATURES •175°CJunctionTemperature •TrenchFET®PowerMOSFET •Materialcategorization:

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=85A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=68V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=9.8mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-channel68V,8.2m廓typ.,85ASTripFET??DeepGATE??PowerMOSFETinTO-220package

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STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

文件:1.75554 Mbytes Page:5 Pages

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

DOINGTER
更新时间:2025-7-21 18:34:01
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