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80N70F4

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

FEATURES • 175 °C Junction Temperature • TrenchFET® Power MOSFET • Material categorization:

VBSEMI

微碧半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 85A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=68V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 9.8mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-channel 68 V, 8.2 m廓 typ., 85 A STripFET??DeepGATE?? Power MOSFET in TO-220 package

文件:659.31 Kbytes Page:12 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.75554 Mbytes Page:5 Pages

DOINGTER

杜因特

更新时间:2025-12-26 8:31:00
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