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N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | | |
N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: SingleNChannelMOSFET UIS,Rg100%Tested Pb-FreeLeadPlating&HalogenFree | EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司 |  | | |
N-Channel30-V(D-S)MOSFET 文件：1.00153 Mbytes Page：7 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | | |
N-ChannelEnhancement-ModeMOSFET 文件：102.05 Kbytes Page：5 Pages | GE GE Industrial Company |  | | |
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PJ |
10+ |
TO-263 |
300 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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ST |
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NIKOS |
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ST |
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17+ |
TO-220 |
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ST |
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进口原装现货,假一罚十 |
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ST原装 |
25+23+ |
TO-220 |
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P6SMB68CA，全新.当天发货或门市自取，如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一企鹅:一一七四零五二三五三，V:八七六八零五五八.
2021-11-6P6SMBJ15CA
製造商:Littelfuse 產品類型:ESD抑制器/TVS二晶體 RoHS:詳細資料 產品類型:TVSDiodes 極性:Bidirectional 操作電壓:12.8V 終端類型:SMD/SMT 封裝/外殼:DO-214AA-2 擊穿電壓:15.8V 鉗位電壓:21.2V Pppm-峰值脈衝功率消耗:600W Vesd-電壓靜電放電觸點:- Vesd-電壓靜電放電空
2020-10-15
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