| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 4.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=520V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance； -RDS(on) = 1.5Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 |   | ||
N-channel 520V - 1.22廓 - 4.4A - TO-220 - DPAK - I2PAK - IPAK Zener-protected SuperMESH??Power MOSFET 文件：396.17 Kbytes Page：17 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
N-channel 520 V,1.22 廓,4.4 A,TO-220,IPAK,I2PAK,DPAK,TO-220FP Zener-protected SuperMESH??Power MOSFET 文件：777.75 Kbytes Page：17 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
N-Channel 650V (D-S) Super Junction Power MOSFET 文件：1.17288 Mbytes Page：11 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
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ST |
23+ |
QFN-32 |
65480 |
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ST |
25+23+ |
I2PAK |
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STM |
05+ |
QFN-32 |
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ST/意法 |
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TO220MONOC |
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ST/意法 |
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SST |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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ST |
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QFP |
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原装正品,假一罚十 |
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ST |
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QFN32 |
2200 |
原装现货海量库存欢迎咨询 |
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ST |
24+ |
TO220MONOC.. |
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ST |
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2019-11-11P5504EDG原装现货
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