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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=520V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance; -RDS(on)=1.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-channel520V-1.22廓-4.4A-TO-220-DPAK-I2PAK-IPAKZener-protectedSuperMESH??PowerMOSFET

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STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS

N-channel520V,1.22廓,4.4A,TO-220,IPAK,I2PAK,DPAK,TO-220FPZener-protectedSuperMESH??PowerMOSFET

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STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS

N-Channel650V(D-S)SuperJunctionPowerMOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-channel520V,1.22廓,4.4A,TO-220,IPAK,I2PAK,DPAK,TO-220FPZener-protectedSuperMESH??PowerMOSFET

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更新时间:2025-7-26 8:01:01
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